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較大文字需求回升DRAM 5月合約價漲10%
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【蕭文康╱台北報導】集邦科技（DRAMeXchange）昨表示，目前在DRAM（動態隨機存取記憶體）合約市場供給趨緊，DRAM現貨價大漲狀況下，DRAM廠終於在4月下旬成功調漲合約價3~5%，並於5月上旬成功調漲10%，在返校需求備貨旺季即將來臨，DRAM廠大減資本支出，停止擴產下，DRAM廠樂觀期待合約價1GB模組價格能續漲至23美元，顆粒則達2.5美元。
合約市場供給吃緊
集邦科技指出，在第1季財報公布後，韓系DRAM廠海力士（Hynix）在產能調整下，第1季DRAM位元銷售率僅成長5%，而歐洲DRAM廠奇夢達（Qimonda)第1季DRAM位元銷售率為負9%。
另外，華亞科（3474）也在轉進70奈米中，產出成長平緩，雖然日系廠商爾必達（Elpida）第1季產出高達33%，但其DDR2客戶主要為數家大模組廠，而非電腦系統廠商(PC OEMs)，使得DRAM的產出在合約市場供給呈現吃緊。
市場預期DRAM價格落底訊號形成而不斷拉高庫存，造成4月現貨顆粒價格大漲，自3月中至5月初，據集邦科技報價，品牌顆粒DDR2 1Gb 667MHz由1.91美元漲至2.16美元，上漲了11.3%，DDR2 1Gb 677MHz eTT更由1.6美元漲至2.04美元，大漲約27.5%。
由於上周DRAM現貨市場的顆粒價格在大漲後，呈現平穩的價格走勢，漲跌之間約只在1%左右的幅度，DDR2 eTT 512Mb與1Gb價格分別守在約0.99美元與2.02美元左右。
帶動現貨價格跟漲
集邦科技認為現貨顆粒價格有盤堅向上的趨勢，雖然力晶（5346）、爾必達eTT產出在瑞晶產能開出下持續增加，但市場需求增温下，eTT價格漲幅遠超過品牌顆粒，由市場面來觀察，DRAM價格築底完成及對於未來價格持續上漲的期待，是帶動現貨價格上漲的主要因素。
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